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什么是半橋電磁加熱器?

責任編輯:深圳信輝源  發布時間:2014-04-14
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  半橋電磁加熱器用最通俗易懂的語句來表達就是-其構造用一個模塊(IGBT),模塊也是電磁感應加熱器中的核心元器件,還有一種就是全橋電磁加熱器其構造用兩個模塊(IGBT)。

  那么是不是半橋電磁加熱器的質量就沒有全橋的好呢?在回答這個問題前首先了解下IGBT的作用吧:IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文縮寫??梢苑g做絕緣柵雙極晶體管。

  IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個標準雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅動器的原理圖。IGBT基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。

IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似,主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1),其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件?;膽迷诠荏w的P+和N+ 區之間創建了一個J1結。

  IGBT是一種功率晶體,運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能,使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優點。

  從上面大家大概可以知道同等功率的情況下半橋電磁加熱器確實沒有全橋的來的穩定,但如果電流并非非常大一個模塊足夠的情況下(在不影響其工作以及壽命)完全可以考慮做成半橋的。

  經過實踐深圳信輝源10Kw,15Kw,20Kw,25kw電磁加熱器生產為半橋電磁加熱器,因其電流是在使用范圍內,但是30Kw如果也采用半橋就不可取,因為電流在規定范圍邊緣很容易炸機或者減短其使用壽命,請大家熟知。


 

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